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    二级保护电路设计要点二级保护电路的设计要点主要包括以下几个方面：1.电路组成和工作原理二级保护电路通常包括***级静电保护电路和第二级静电保护电路。***级静电保护电路连接于输入管脚和接地端之间，而第二级静电保护电路则包括电阻和MOS晶体管，其中MOS晶体管的源极和漏极均与输出管脚相连，其栅极与接地端相连，衬体端也与接地端相连。这样的设计可以在减少占用芯片面积的同时，维持相同的静电保护效果3。2.保护电路的选择和应用在设计保护电路时，需要根据具体的应用场景选择合适的保护元件。例如，瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种常用的电子元件，用于保护电路免受过电压的影响。在电力系统、通信设备、计算机硬件和其他敏感电子设备中，TVS是不可或缺的保护元件1。3.电路的稳定性和可靠性在设计二级保护电路时，还需要考虑电路的稳定性和可靠性。例如，在激光二极管保护电路的设计中，需要重点分析电流、瞬态电压处理等关键因素。 2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。广州6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

XBM2138QFA    2串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA     内置MOS  2串锂保   内置均衡   ：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能扬州3T1FAA赛芯现货高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路，用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容），连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，***额定值是33V），还具备向0V电池充电功能，可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热，需优化PCB散热（如增加铜箔面积） 内置MOS，集成均衡功能

    二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。 7串-10串 多节电池保护芯片 XBM7101 集成均衡/NTC/SSOP24。

XBM3360   用于3串锂电池的保护芯片，3串 集成Sense   芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度， 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点4-5串锂电池保护 XBM4451/4551 4串和5串/集成Sense/NTC/SOP16。东莞XBM4551赛芯内置MOS 两节锂保

带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。广州6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。广州6096J9m赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保