主要参数:针对磷酸铁锂电芯,充电电压3.6V,充电电流可达900mA,耐压30V,OVP=6.8V,采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外,XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻,并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V,充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时,XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源(墙上适配器或 USB 电源)被移除时,XC3098VYP 系列自动进入低电流状态,将电池漏电流降至 2uA 以下。低压差线性稳压器、40V耐压、高PSRR,LDO。XBGL6155MS电源管理IC供应商
DS5036B 无按键动作的情况下,只有连接用电设备的输出口才会开启;未连接设备的输出口保持关闭。 USB-A1、USB-C 均支持输出快充协议。但由于该方案是单电感方案,只能支持一个电压输出,所以只有一个输出口开启的情况下才能支持快充输出。同时使用两个或者三个输出口时,会自动关闭快充功能。 按照“典型应用原理图”所示连接,任何一个输出口已经进入快充输出模式时,当其他输出口插入用电设备,会先关闭所有输出口,关闭高压快充功能,再开启有设备存在的输出口。此时所有输出口只支持 Apple、BC1.2 模式充电。当处于多口输出模式时,任一输出口的输出电流小于约 80mA(MOS Rds_ON@15mohm)时,持续 15s 后会自动关闭该口。从多个用电设备减少到只有一个用电设备时,持续约 15s 后会先关闭所有输出口,开启高压快充功能,再开启一个用电设备存在的输出口,以此方式来重新使能设备请求快充。当只有一个输出口开启的情况下,总的输出功率小于 350mW 持续约 32s 时,会关闭输出口和放电功能,进入待机状态。XBGL6155MS电源管理IC供应商按进入小电流模式,双击关闭输出。
普通的锂电池供电电子产品(如锂电池供电的超声波电动牙刷)都需要外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+控制芯片三个分立的控制电路芯片组合。普通的分立充电管理电路不能耐高压,不能支持无线充电,只能支持usb充电。普通的分立马达正反驱动电路没有过流保护功能,常规方案有三种方式: 3.1》采用外置充电管理电路+电机正反转驱动电路+单片机控制芯片三个分立芯片组合的控制电路方案。 4.2》采用分立的器件搭建的无线充充电路+四个mos组成的电机正反转电路+单片机控制芯片 5.3》采用定制asic(集成电路),模式功能固定,不可更改。
DS2730是一款面向65-100W快充应用的降压型 PD3.0 C+CA双路分离多口快充的电源管理SOC,集成了微处理器、降压型电压变换器、快充协议控制器、高精度 ADC、安全保护模块等功能单元,支持 PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC 等主流快充协议。搭载极少的外部元件,即可组成 C+CA 的双路分离的65-100W多口快充应用方案。内置环路补偿电路,支持低功耗模式、支持功率动态分配、直通模式。DS2730 集成了5 路 GPIO,可以用作常规的输入/输出端口驱动 LED 灯、选择前级电源的输出电压以及I2C 通讯接口。LDO 输出,通过10μF 电容连接至参考地。
同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。高精度 ADC 用于检测充电电流,高速 ADC 用于检测电压信号。XBGL6155MS电源管理IC供应商
内置的同步降压变换器,允许 5V~30V 的输入和 3.3V~20V 的输出,输出效率极限 98%。XBGL6155MS电源管理IC供应商
XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D E36L DGHG DGHG 7KFG 7KFD E50H E50A E50G b6w 70JC DHJB D4JD D4JF DFJG L30H DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXBGL6155MS电源管理IC供应商