2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha赛芯一级代理经销批发赛芯XySemi锂电池保护 XySemi的代理商。XB4155J2S电源管理IC赛芯微代理
特瑞仕是专门用于电源IC的模拟類比CMOS专业集团。 发挥只只有专业厂商才具有的专门知识和灵活性,不间断地瞬时对应开发小型化、轻量化电子机器的需求。独特的超小型封装技术接二连三地带来乃至肉眼难于分辨的小型产品是我们的骄傲。 尽管尺寸极小,但给予世间的影响却无限大。从我们身边的智能手机、数码照相机、电脑等便携式机器、到汽车用导航系统、车载ETC设备、电动车窗等车载用品,及包括机器人在内的产业机械,其产品性能在所有领域都得到了高度评价。 特瑞仕拥有雄厚先进的技术能力,高度的市场影响力,并积极地对应环保要求,今后还将继续于电源IC领域。XB8783AHM电源管理IC拓微电子支持边充边放功能,在边充边放时,输入输出均为 5V。
CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围2.7V到6V,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。 恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。 CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。
DS6036B 集成高压输出的同步开关转换器系统,支持 3V~21V 宽电压范围输出。同步开关升降压系统可提供上限 100W的 输出能力。DS6036B 内置软启动功能,防止在启动时冲击电流过大引起故障。DS6036B 集成输出过流、短路、过压、过温等保护功能,确保系统稳定可靠的工作。USBC1 口或者 USBC2 插入充电电源,可直接启动充电。如果 USB-C 上插入 USB-C UFP 设备或者 USB-A 上插入用电设备,可自动开启放电功能。 如果有按键动作,USB-A1、USB-A2 上有负载连接时才会开启,否则会保持关闭状态。USBC1 口或者 USBC2 有电源插入,优先启动充电。在单充电的模式下,支持自动识别电源的快充模式,匹配合适的充电电压和充电电流。正极保护IC、的锂电池保护方案。
DS6036B 无按键动作的情况下,只有连接用电设备的输出口才会开启;未连接设备的输出口保持关闭。 USB-A1、USB-A2、USB-C 均支持输出快充协议。但由于该方案是单电感方案,只能支持一个电压输出,所以只有一个输出口开启的情况下才能支持快充输出。同时使用两个或者三个输出口时,会自动关闭快充功能。 按照“典型应用原理图”所示连接,任何一个输出口已经进入快充输出模式时,当其他输出口插入用电设备,会先关闭所有输出口,关闭高压快充功能,再开启有设备存在的输出口。此时所有输出口只支持 Apple、BC1.2 模式充电。当处于多口输出模式时,任一输出口的输出电流小于约 80mA(MOS Rds_ON@15mohm)时,持续 15s 后会自动关闭该口。从多个用电设备减少到只有一个用电设备时,持续约 15s 后会先关闭所有输出口,开启高压快充功能,再开启末尾一个用电设备存在的输出口,以此方式来重新使能设备请求快充。当只有一个输出口开启的情况下,总的输出功率小于 350mW 持续约 32s 时,会关闭输出口和放电功能,进入待机状态。充电管理、放电保护芯片,电源正负极反接保护,电池极反接保护,兼容大小3mA-1000mA充电电流。XC5016电源管理IC赛芯微xysemi
内部降压电路开关节点,通过电感连接至 PVDD。XB4155J2S电源管理IC赛芯微代理
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XB4155J2S电源管理IC赛芯微代理