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低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。XySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。XB5225I2SZR电源管理IC芯纳科技

赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护，集成MOS，支持船运模式，关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点： 1.低功耗，工作电流0.4uA,关机电流1nA； 2.更贴近应用的保护电流，充电过流300mA，放电过流150mA，短路电路450mA； 3.高集成度，集成MOS，支持船运模式，集成虚焊保护功能； 4.高可靠性，支持充电器反接功能，支持带负载电芯防反接功能，ESD 8KV； 5.更好的匹配性，锂电保护无管压降，可以支持不同类型的充电芯片； 6.系列化，支持4.2-4.5V的电芯平台。XB5608A电源管理IC二合一锂电保护正极保护的锂电池保护方案。

上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势，但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端，因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中，还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势，所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价，这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501；近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商，为了降低成本，封装时原本打金线改成打铜线，开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异，但因为成本优势很快抢占了二级市场，也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。

XA9107 是一款 1.0uA 电源电流和快速响应低压差稳压器，专为需要低静态电流、低压差电压和高电源纹波抑制的应用而设计。保证提供300mA的输出电流，并支持预设输出电压版本范围包括1.1V、1.2V、1.3V、1.5V、1.7V、1.8V、1.9V、2.0V、2.3V、2.5V、2.6V、2.7电压、2.8V、2.9V、3.0V、3.3V、3.6V。XA9107 具有针对温度、负载和线路变化的精确 ±2% 输出调节能力，并且XA9107 还集成了许多功能。热关断和过流限制功能可保护器件免受热过载和电流过载的影响。基于其低静态电流消耗和低于 0.1uA（典型值）的关断模式电流，此外，高电源抑制比使该器件能够很好地适应电池操作系统中通常遇到的低输入电压。使用小型陶瓷电容器（典型值为 1.0uF），稳压器即可保持稳定。充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。

保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护：在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。XB8789D0电源管理IC赛芯微代理

锂电充电管理0.5-1A电流 +OVP过压保护+耐高压30V +BAT耐压18V。XB5225I2SZR电源管理IC芯纳科技

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。XB5225I2SZR电源管理IC芯纳科技