光电二极管基于内光电效应实现光信号到电信号的转换。当 PN 结受光照射,光子激发电子 - 空穴对,在结区电场作用下形成光电流,反向偏置时效应更。通过减薄有源层与优化电极,响应速度可达纳秒级。 硅基型号(如 BPW34)在可见光区量子效率超 70%,用于光强检测;PIN 型增大耗尽区宽度,在光纤通信中响应度达 0.9A/W;雪崩型(APD)利用倍增效应,可检测单光子信号,用于激光雷达。 车载 ADAS 系统中,近红外光电二极管(850-940nm)夜间可捕捉 200 米外目标,推动其向高灵敏度、低噪声发展,满足自动驾驶与智能传感需求。稳压二极管堪称电压的忠诚卫士,无论外界电压如何波动,都能维持输出电压的稳定。黄浦区二极管市场价格
1970 年代,硅整流二极管(如 1N5408)替代机械式触点,用于汽车发电机整流 —— 其 100V 反向耐压和 30A 平均电流,使发电效率从 60% 提升至 85%,同时将故障间隔里程从 5000 公里延长至 5 万公里。1990 年代,快恢复二极管(FRD)凭借 50ns 反向恢复时间,适配车载逆变器的 20kHz 开关频率,在 ABS 防抱死系统中实现微秒级电流控制,制动距离缩短 15%。2010 年后,车规级肖特基二极管(AEC-Q101 认证)成为电动车重要:在 OBC 充电机中,其 0.4V 正向压降使充电速度提升 30%,而反向漏电流<10μA 保障电池组安全。 2023 年,碳化硅二极管开启 800V 高压平台时代:耐温 175℃的 SiC 二极管集成于电驱系统,支持 1200V 母线电压,使电动车超快充(10 分钟补能 80%)成为现实黄浦区二极管市场价格硅二极管以良好的热稳定性和较高的反向击穿电压,成为众多电路的可靠选择。
隧道二极管(江崎二极管)基于量子隧穿效应,在重掺杂 PN 结中实现负阻特性。当 PN 结掺杂浓度极高时,势垒宽度缩小至 10 纳米以下,电子可直接穿越势垒形成隧道电流。正向电压增加时,隧道电流先增大后减小,形成负阻区(电压升高而电流降低)。例如 2N4917 隧道二极管在 0.1V 电压下可通过 100 毫安电流,负阻区电阻达 - 50 欧姆,常用于 100GHz 微波振荡器,振荡频率稳定度可达百万分之一 /℃。其工作机制突破传统 PN 结的热电子发射原理,为高频振荡和高速开关提供了新途径。
工业制造:高压大电流的持续攻坚 6kV/50A 高压硅堆由 30 个以上硅二极管串联而成,采用陶瓷封装与玻璃钝化工艺,耐受 100kA 瞬时浪涌电流,用于工业 X 射线机时可提供稳定的高压直流电源。快恢复外延二极管(FRED)如 MUR1560(15A/600V)在变频器中实现 100kHz 开关频率,THD 谐波含量<5%,提升电机控制精度至 ±0.1rpm,适用于精密机床驱动系统。 新能源领域:效率与环境的双重突破 硅基肖特基二极管(MUR1560)在太阳能电池板中作为防反接元件,反向漏电流<10μA,较早期锗二极管效率提升 5%,每年可为 1kW 光伏组件多发电 40 度。氮化镓二极管(650V/200A)在储能系统中,充放电切换时间从 100ms 缩短至 10ms,响应电网调频需求的速度提升 10 倍,助力构建动态平衡的智能电网。快恢复二极管拥有极短的反向恢复时间,在高频电路里快速切换,让电流传输高效又稳定。
20 世纪 60 年代,硅材料凭借区熔提纯技术(纯度达 99.99999%)和平面工艺(光刻分辨率 10μm)确立统治地位。硅整流二极管(如 1N4007)反向击穿电压突破 1000V,在工业电焊机中实现 100A 级大电流整流,效率较硒堆整流器提升 40%;硅稳压二极管(如 1N4733)利用齐纳击穿特性,将电压波动控制在 ±1% 以内,成为早期计算机(如 IBM System/360)电源的重要元件。但硅的 1.12eV 带隙限制了其在高频(>100MHz)和高压(>1200V)场景的应用 —— 当工作频率超过 10MHz 时,硅二极管的结电容导致能量损耗激增,而高压场景下需增大结面积,使元件体积呈指数级膨胀。汽车大灯逐渐采用发光二极管技术,提供更亮、更节能的照明效果。黄浦区二极管市场价格
碳化硅二极管耐高压高温,适配新能源汽车与光伏。黄浦区二极管市场价格
点接触型:高频世界的纳米级开关 通过金丝压接工艺形成结面积<0.01mm² 的 PN 结,结电容可低至 0.2pF,截止频率突破 100GHz。1N34A 锗检波管在 UHF 频段(300MHz)电视信号解调中,插入损耗 1.5dB,曾是 CRT 电视高频头的元件,其金属丝与锗片的接触点精度需控制在 1μm 以内。隧道二极管(2N4917)利用量子隧穿效应,在 100GHz 微波振荡器中实现纳秒级振荡,早期应用于卫星通信的本振电路,可产生稳定的毫米波信号。 面接触型:大电流场景的主力军 采用合金法形成结面积>1mm² 的 PN 结,可承载数安至数百安电流,典型如 RHRP8120(8A/1200V)硅整流管,其铝硅合金结面积达 4mm²,可承受 20 倍额定浪涌电流(160A 瞬时冲击),用于工业电焊机时效率达 92%,较早期硒堆整流器体积缩小 80%。1N5408(3A/1000V)在电机控制电路中,配合 LC 滤波可将纹波系数控制在 5% 以内,适用于工频(50/60Hz)整流场景。黄浦区二极管市场价格