针对不同的硅光芯片结构,我们提出并且实验验证了两款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均匀光栅的垂直耦合器,在实验中,我们得到了超过60%的光纤-波导耦合效率。此外,我们还开发了一款用以实现硅条形波导和狭缝波导之间高效耦合的新型耦合器应用的系统主要是硅光芯片耦合测试系统,理论设计和实验结果都证明该耦合器可以实现两种波导之间的无损光耦合。为了消除硅基无源器件明显的偏振相关性,我们首先利用一种特殊的三明治结构波导,通过优化多层结构,成功消除了一个超小型微环谐振器中心波长的偏振相关性。硅光芯片耦合测试系统优点:易于大规模测试。青海射频硅光芯片耦合测试系统机构
既然提到硅光芯片耦合测试系统,我们就认识一下硅光子集。所谓硅光子集成技术,是以硅和硅基衬底材料(如SiGe/Si、SOI等)作为光学介质,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的集成电路工艺制造相应的光子器件和光电器件(包括硅基发光器件、调制器、探测器、光波导器件等),并利用这些器件对光子进行发射、传输、检测和处理,以实现其在光通信、光互连、光计算等领域中的实际应用。硅光技术的中心理念是“以光代电”,即采用激光束代替电子信号传输数据,将光学器件与电子元件整合至一个单独的微芯片中。在硅片上用光取代传统铜线作为信息传导介质,较大提升芯片之间的连接速度。青海射频硅光芯片耦合测试系统机构硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处:可编程性。
硅光芯片耦合测试系统组件装夹完成后,主要是通过校正X,Y和Z方向的偏差来进行的初始光功率进行耦合测试的,图像处理软件能自动测量出各项偏差,然后软件驱动运动控制系统和运动平台来补偿偏差,以及给出提示,继续手动调整角度滑台。当三个器件完成初始定位,同时确认其在Z轴方向的相对位置关系后,这时需要确认输入光纤阵列和波导器件之间光的耦合对准。点击找初始光软件会将物镜聚焦到波导器件的输出端面。通过物镜及初始光CCD照相机,可以将波导输出端各通道的近场图像投射出来,进行适当耦合后,图像会被投射到显示器上。
硅光芯片耦合测试系统应用到硅光芯片,我们一起来了解硅光芯片的市场定位:光芯片作为光通信系统中的中心器件,它承担着将电信号转换成光信号或将光信号转换成电信号的重任,除了外加能源驱动工作,光器件的转换能力和效率决定着通信速度。为什么未来需要硅光芯片,这是由于随着5G时代的到来,芯片对传输速率和稳定性要求更高,硅光芯片相比传统硅芯的性能更好,在通信器件的高级市场上,硅光芯片的作用更加明显。未来人们对流量的速度要求比较高,作为技术运营商,5G的密集组网对硅光芯片的需求大增。之所以说硅光芯片定位通信器件的高级市场,这是由于未来的5G将应用在生命科学、超算、量子大数据、无人驾驶等,这些领域对通讯的要求更高,不同于4G网络,零延时、无差错是较基本的要求。目前,国内中心的光芯片及器件依然严重依赖于进口,高级光芯片与器件的国产化率不超过10%,这是国内加大研究光芯的内在驱动力。硅光芯片耦合测试系统的优点:易操作。
我们分析了一种可以有效消除偏振相关性的偏振分级方案,并提出了两种新型结构以实现该方案中的两种关键元件。通过理论分析以及实验验证,一个基于一维光栅的偏振分束器被证明能够实现两种偏振光的有效分离。该分束器同时还能作为光纤与硅光芯片之间的高效耦合器。实验中我们获得了超过50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串扰。我们还对一个基于硅条形波导的超小型偏振旋转器进行了理论分析,该器件能够实现100%的偏转转化效率,并拥有较大的制造容差。在这里,我们还对利用侧向外延生长硅光芯片耦合测试系统技术实现Ⅲ-Ⅴ材料与硅材料混集成的可行性进行了初步分析,并优化了诸如氢化物气相外延,化学物理抛光等关键工艺。在该方案中,二氧化硅掩膜被用来阻止InP种子层中的线位错在外延生长中的传播。初步实验结果和理论分析证明该集成平台对于实现InP和硅材料的混合集成具有比较大的吸引力。硅光芯片耦合测试系统保证产品质量一致性,节约了人力成本,降低对人工的依赖。青海射频硅光芯片耦合测试系统机构
硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处:高速性能。青海射频硅光芯片耦合测试系统机构
此在确认硅光芯片耦合测试系统耦合不过的前提下,可依次排除B壳天线、KB板和同轴线等内部结构的故障进行维修。若以上一一排除,则是主板参数校准的问题,或者说是主板硬件存在故障。耦合天线的种类比较多,有塔式、平板式、套筒式,常用的是自动硅光芯片硅光芯片耦合测试系统系统。为防止外部环境的电磁干扰搭载屏蔽箱,来提高耦合直通率。硅光芯片耦合测试系统是比较关键的,我们的客户非常关注此工位测试的严谨性,硅光芯片耦合测试系统主要控制“信号弱”,“易掉话”,“找网慢或不找网”,“不能接听”等不良机流向市场。一般模拟用户环境对设备EMC干扰的方法与实际使用环境存在较大差异,所以“信号类”返修量一直占有较大的比例。青海射频硅光芯片耦合测试系统机构