甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有

硅光芯片耦合测试系统是由激光器与硅光芯片集成结构,结构包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波导;硅光芯片,硅光芯片包括第二波导,第二波导及第1波导将激光器芯片发出的光耦合至硅光芯片内;第1波导包括依次一体连接的第1倒锥形波导部,矩形波导部及第二倒锥形波导部;第二波导包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一体连接的第1倒锥形波导部,矩形波导部及第二倒锥形波导部。相比于现有技术中的端面耦合,本实用新型的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低,即使在对准有误差的实际工艺条件下,仍然具有较高的耦合效率。硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：可编程性。甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有

硅光芯片耦合测试系统的面向硅光芯片的光模块封装结构及方法,封装结构包括硅光芯片,电路板和光纤阵列,硅光芯片放置在基板上,基板和电路板通过连接件相连,并且在连接件的作用下实现硅光芯片与电路板的电气连通;光纤阵列的端面与硅光芯片的光端面耦合形成输入输出光路;基板所在平面与电路板所在平面之间存在一个夹角,使得光纤阵列的尾纤出纤方向与光模块的输入和/或输出通道的光轴的夹角为锐角。本发明避免光纤阵列尾纤弯曲半径过小的问题,提高了封装的可靠性。甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有硅光芯片耦合测试系统优点：数据集中。

硅光芯片耦合测试系统主要工作可以分为四个部分：1、利用开发出的耦合封装工艺,对硅光芯片调制器进行耦合封装并进行性能测试。分析并联MZI型硅光芯片调制器的调制特性,针对调制过程,建立数学模型,从数学的角度出发,总结出调制器的直流偏置电压的快速测试方法。并通过调制器眼图分析调制器中存在的问题,为后续研发提供改进方向。2、针对倒锥型耦合结构,分析在耦合过程中,耦合结构的尺寸对插入损耗,耦合容差的影响,优化耦合结构并开发出行之有效的耦合工艺。3、从波导理论出发,分析了条形波导以及脊型波导的波导模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理论分析了硅光芯片调制器的载流子色散效应,分析了调制器的基本结构MZI干涉结构,并从光学结构和电学结构两方面对光调制器进行理论分析与介绍。

硅光芯片耦合测试系统的激光器与硅光芯片耦合结构及其封装结构和封装方法,发散的高斯光束从激光器芯片出射,经过耦合透镜进行聚焦;聚焦过程中光路经过隔离器进入反射棱镜,经过反射棱镜的发射,光路发生弯折并以一定的角度入射到硅光芯片的光栅耦合器上面,耦合进硅光芯片。本发明所提供的激光器与硅光芯片耦合结构,其无需使用超高精度的耦合对准设备,耦合过程易于实现,耦合效率更高,且研发成本较低;激光器与硅光芯片耦合封装结构及其封装方法,采用传统TO工艺封装光源,气密性封装,与现有技术相比,具有比较强的可生产性,比较高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,适用于400G硅光大功率光源应用。硅光芯片耦合测试系统一站式服务，为客户节省时间和精力。

硅光芯片耦合测试系统是一种应用双波长的微波光子频率测量设备,以及一种微波光子频率测量设备的校正方法和基于此设备的微波频率测量方法。在微波光子频率测量设备中,本发明采用独特的双环耦合硅基光子芯片结构,可以形成两个不同深度的透射谱线。该系统采用一定的校准方法,预先得到微波频率和两个电光探测器光功率比值的函数,测量过程中,得到两个电光探测器光功率比值后,直接采用查表法得到微波频率。该系统将多个光学器件集成在硅基光学芯片上,从整体上减小了设备的体积,提高系统的整体可靠性。集成电路的晶圆级可靠性测试中，使用非常普遍的测试类别主要是热载流注入测试、电迁移测试等等。甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有

芯片耦合集成化才能实现高密度、低成本、低能耗，满足信息社会信息急速膨胀。甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有

伴随着光纤通信技术的快速发展,小到芯片间,大到数据中心间的大规模数据交换处理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互联。目前,主流的光互联技术分为两类。一类是基于III-V族半导体材料,另一类是基于硅等与现有的成熟的微电子CMOS工艺兼容的材料。基于III-V族半导体材料的光互联技术,在光学性能方面较好,但是其成本高,工艺复杂,加工困难,集成度不高的缺点限制了未来大规模光电子集成的发展。硅光芯片器件可将光子功能和智能电子结合在一起以提供潜力巨大的高速光互联的解决方案。甘肃光子晶体硅光芯片耦合测试系统哪里有