陶瓷电容器的起源:1900年,意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末,人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍,从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右,人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性,随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年,随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展,它迅速发展起来,成为电子设备中不可缺少的一部分。目前,陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性。电解贴片电容厂家
纹波电流容差影响电解电容器性能的较重要参数之一是纹波电流。纹波电流对铝电解电容器的影响主要是由于功耗对ESR的影响,使铝电解电容器发热,从而缩短使用寿命。从特性曲线(图2)可以看出,纹波电流对ESR造成的损耗与纹波电流有效值的平方成正比,所以随着纹波电流的增加,小时寿命曲线类似于抛物线函数曲线。降低纹波电流的方法可以采用更大容量的铝电解电容器。毕竟大容量铝电解电容器比小容量铝电解电容器能承受更大的纹波电流。也可以采用几个小容量铝电解电容并联,也可以选择低纹波电流的电路拓扑。一般来说,反激变换器产生的开关电流相对比较大。表1显示了各种开关转换器电路拓扑结构的滤波电容上的DC电流、整流和滤波纹波电流、开关电流和总纹波电流。上海高频陶瓷电容多少钱电解电容器多数采用卷绕结构,很容易扩大体积,因此单位体积电容量非常大,比其它电容大几倍到几十倍。
铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂,导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下,工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜,从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷,使填充修复工作不完善,阳极氧化膜上会留下微孔,甚至可能成为通孔,使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷,后续铆接工艺不好时,引出箔上的毛刺刺破氧化膜,这些刺破的部位漏电流很大,局部过热导致电容产生热击穿。
MLCC是陶瓷电容器的一种,也可称为片式电容器、多层电容器、多层电容器等。MLCC是由印刷电极(内电极)交错堆叠的陶瓷介质膜,经一次高温烧结形成陶瓷电子元件,再在电子元件两端封上金属层(外电极),形成单片结构,故也可称为单片电容器。简单平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加上两个外部导电的金属电极组成,而MLCC的结构主要包括三部分:陶瓷介质、金属内电极和金属外电极。在结构上,MLCC是一个多层层压结构。简单来说就是几个简单平行板电容的平行体。钽电容应用:通讯、航天、工业控制、影视设备、通讯仪表 。
MLCC电容器的生产工艺非常严谨,每个细节都是不可忽视的关键。这些细致的工序是保证产品质量的关键。无论任何一个细节,都必须严格按照生产工艺进行,保证每一个细节都能做到精细,这样才能保证电容器的质量,保证电容器的误差小。层压:层压棒,棒用层压袋包装,抽真空封装后,用等静压加压,使棒内各层结合更紧密。切割:将层叠棒切割成的电容器生坯。出胶:将绿色电容放在烤盘上,按照一定的温度曲线进行高温烘烤(最高温度一般在400左右),去除芯片中的粘合剂等有机物。脱胶功能:1)去除芯片中的粘性有机物,避免烧成时有机物快速挥发造成产品脱层、开裂,保证烧成所需形状的完整瓷件。2)消除烧制过程中粘合剂的还原作用。烧结:脱胶后的芯片经过高温处理,烧结温度一般在1140-1340之间,使其成为机械强度高、电性能优良的陶瓷体。电容做为电气、电子元器件对于我们这些电工人来讲是非常熟悉的。上海高频陶瓷电容多少钱
钽电容在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。电解贴片电容厂家
一般来说,它是一个去耦电容。或者数字电路通断时,对电源影响很大,造成电源波动,需要用电容去耦。通常,容量是芯片开关频率的倒数。如果频率为1MHz,选择1/1M,即1uF。你可以拿一个大一点的。比较好有芯片和去耦电容,电源处应该有,用的量还是蛮大的。在一般设计中,提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF进行电源去耦。在实际应用中如何选择它们?根据不同的功率输出或后续电路?通常并联两个电容就够了,但在某些电路中并联更多的电容可能会更好。不同电容值的电容器并联可以在很宽的频率范围内保证较低的交流阻抗。在运算放大器的电源抑制(PSR)能力下降的频率范围内,电源旁路尤为重要。电容可以补偿放大器PSR的下降。在很宽的频率范围内,这种低阻路径可以保证噪声不进入芯片。电解贴片电容厂家