AI先进封装硬核装备｜美国YES全自动真空甲酸回流炉

随着 AI 大模型、高性能计算 HPC、HBM 高带宽内存、3D 芯片堆叠技术大规模落地，先进封装对微凸点焊接提出前所未有的严苛要求：更小凸点尺寸、更窄节距、极低空洞率、超薄金属间化合物层、无助焊剂残留，传统回流工艺越来越难以满足量产标准。

来自美国加州的 Yield Engineering Systems（YES）推出的VeroTherm FAR XP 全自动真空甲酸回流炉，凭借专利单步式真空甲酸无助焊剂回流工艺，成为全球头部 IDM、HBM 存储厂商验证采用的量产级设备，解决超细间距微凸点焊接诸多痛点。

? **工艺优势：单步真空甲酸回流

VeroTherm FAR XP 采用单晶圆真空回流架构，独特一步式甲酸还原 + 真空回流一体化工艺，不需要助焊剂即可完成焊料氧化层去除与焊接成型。

· 支持**小7 μm 凸点高度、12 μm 凸点间距的超精细微凸点加工，适配下一代先进封装微连接需求；

· 可将金属间化合物（IMC）层厚度控制在1 μm 以内，焊接界面纯净，无裂纹、无坍塌缺陷，良率表现优异；

· 整套工艺已经通过全球比较大 IDM 企业、HBM 存储制造商的量产认证，工艺可靠性经过大规模产线验证；

· 设备体积紧凑（小占地面积），高吞吐量，降低整体拥有成本 CoO，兼顾高精度与量产产能。

? 基板兼容能力，适配多元先进封装基材

设备具备极强基材兼容性，同时支持晶圆与面板类工件加工：

1. 晶圆处理：支持两种不同尺寸晶圆并行加工，可实现大批量批次生产，提升产线效率；

2. 面板加工：可处理薄至200 μm 厚度面板基材，加工过程中避免薄片破碎，适配面板级封装工艺。

? 主要应用场景

✅ C4 凸点、铜柱 CuPillar 焊料回流焊接

✅ 芯片晶圆（ChiptoWafer）、晶圆晶圆（WafertoWafer）键合回流

✅ 薄芯片堆叠回流，3D 异构集成、HBM 高带宽内存封装

✅ AI 算力芯片、高性能逻辑芯片微凸点批量回流

✅ **存储、面板级先进封装无助焊剂焊接制程

设备配套标准化 SECS/GEM 接口，适配半导体工厂自动化产线对接，完整数据追溯，满足 Fab 与 OSAT 工厂智能制造要求。

在 AI 芯片与 3D 堆叠封装快速迭代的时代，微凸点向更小高度、更小节距快速演进，无助焊剂真空甲酸回流工艺已经成为**封装的关键制程。美国 YES VeroTherm FAR XP 全自动真空甲酸回流炉，凭借 12 μm 间距微凸点处理能力、单步式高良率工艺、晶圆 / 面板双兼容设计，并且经过国际头部大厂量产认证，助力国内先进封装企业突破微连接工艺瓶颈。上海迹亚国际商贸有限公司是该公司在中国的经销商，可为国内用户提供系列设备采购、安装、工艺方案、试样测试与本土化技术支持服务。