6G 试验迈入系统验证阶段:2026 年 表示,将系统布局 6G 等前沿技术研发。同日,全国头个Pre6G 试验网在江苏南京投入运行,具备高带宽、低时延确定性和 AI 内生融合特点,能力可达 5G 的 10 倍,标志着 6G 从关键技术验证迈入系统能力验证新阶段。
AI 原生 6G 技术路线确立:3 月 MWC 巴塞罗那大会上,高通、爱立信等全球巨头发布 AI 原生 6G 全栈技术,明确2029 年实现 6G 正式商用的路线图。高通联合全球近 60 家企业成立 6G 发展共识,爱立信推出 “智能编织” 架构,推动 AI 与通信深度融合。
千瓦级芯片倒逼液冷革新:2026 年 4 月,谷歌新一代TPU v7 单芯片功耗达 980W,英伟达GB200 NVL72 整柜热设计功耗高达 130—140kW,下一代 Rubin 芯片单颗功耗预计达3600W。传统风冷已达物理极限,液冷从 “可选项” 升级为 AI 算力基础设施的标配项。
液冷市场爆发式增长:摩根大通数据显示,2026 年全球 AI 服务器液冷系统市场规模将从 2025 年的 89 亿美元飙升至170 亿美元以上。IDC 与东方证券测算,2026 年中国液冷服务器渗透率将从 2025 年的 20% 跃升至37%,AI 智算中心渗透率更高,可达40%-80%。
国产替代加速:在 6G 与 AI 算力双重驱动下,国产高导热材料正快速切入大供应链。中国 6G 技术申请量全球前列,产业链生态企业超 200 家,为国产材料提供广阔应用场景。
市场规模:2030 年 6G 产业规模将突破 5 万亿元,AI 推理成应用主力;AI+6G 热管理市场年复合增长率超 40%,2028 年规模将超 800 亿元。
矛盾:AI 算力指数级增长 + 6G 高频高速传输,设备热流密度从 5G 的 50W/cm² 飙升至 300-1000W/cm²,散热成为性能与稳定性的瓶颈。
技术趋势:从单一导热材料向 “材料 + 结构 + 系统” 一体化热管理升级;超薄、低热阻、低挥发、高可靠成为指标;国产材料在高阶场景实现从跟跑到并跑、领跑。
产业格局:全球形成四大 6G 产业阵营,中国以 40.3% 的 6G 技术占比领跑,国产导热材料成为 6G 与 AI 产业自主可控的关键支撑。
设备:6G 宏基站、太赫兹功放、RRU、MIMO 天线阵列、BBU 基带单元
散热痛点:热流密度达 300-1000W/cm²,户外 - 40℃~125℃极端环境,高频电磁兼容,空间压缩,长期稳定运行
导热绝缘膜 TF-200-50:导热系数 5.0W/m・K,耐电压>9000V(0.3mm),热阻 2.5℃・cm²/W,韧性好可模切,适配功放模块与散热器绝缘导热。
导热垫片 TP100-X0:导热系数 10.0W/m・K,UL94-V0 阻燃,低挥发,玻纤增强,适配天线阵列与 BBU 板级均温散热。
导热硅脂 SC9660:导热系数 6.2W/m・K,热阻 0.26℃・cm²/W,长期不粉化,适配太赫兹功放管与热沉界面导热。
导热粘接膜 TF-100:导热系数 1.5W/m・K,耐电压 5000V,加热固化,适配 MOS 管、电源元件与散热器导热固定。
设备:1.6T 光模块、CPO 共封装光学模块、硅光芯片、TOSA/ROSA 组件
散热痛点:单模块功耗 15-25W,热流密度 200-500W/cm²,散热间隙<0.1mm,低挥发防光路污染,温度波动<±0.5℃
可固化导热凝胶 TS500-X2:导热系数 12W/m・K,热阻 0.49℃・cm²/W,低挥发(D4-D10<100ppm),UL94-V0,适配 CPO 与 1.6T 光模块芯片导热。
可固化导热凝胶 TS500-80:导热系数 7.0W/m・K,热阻 0.36℃・cm²/W(20psi 下厚度 60μm),适配光模块微间隙填充。
预固化导热凝胶 TS300-70:导热系数 7.0W/m・K,热阻 0.51℃・cm²/W,无需固化回温即用,适配光模块结构件异形散热。
单组份热固硅胶 SC5116:低挥发,高弹性,耐冷热冲击,适配光模块壳体密封与芯片边缘导热固定。
设备:AI 训练服务器、GPU 集群、边缘计算节点、HBM 高带宽内存
散热痛点:GPU 功耗 700-1000W,单机柜功耗 50-100kW,高密度均温,液冷兼容,低噪音,长期稳定运行
可固化导热凝胶 TS500 系列:至高 12W/m・K 导热系数,低热阻,适配 GPU、CPU、HBM 芯片与液冷板界面导热。
导热垫片 TP100 系列:1.0-10.0W/m・K 导热系数,软硬度可选,低挥发,适配显存、供电模组与主板电感散热。
双组份导热灌封胶 TC200-40:导热系数 4.0W/m・K,A:B=1:1,流动性好,适配服务器电源模块与边缘计算设备灌封导热。
设备:6G 基带芯片、AI 边缘芯片、通感算智一体化终端、AR/VR 模组
散热痛点:微型化空间,抗震动,高低温循环,芯片底部与边角散热,焊点补强
底部填充胶 EP6122:剪切强度 18MPa,快速固化,适配芯片底部填充与边角固定,辅助芯片散热。
单组份高可靠环氧胶 EP5161:剪切强度 21MPa,Tg 达 200℃,耐湿热,适配 BMS 连接器与芯片 pin 脚固定,兼顾导热与结构稳定。
导电胶 CA1108:导热系数 160W/m・K,体积电阻率 4.0×10^-6Ω・cm,低温烧结,适配芯片与金属化界面导电导热一体化。
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产品系列
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型号
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关键导热参数
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适配场景
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优势
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可固化导热凝胶
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TS500-X2
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导热系数 12W/m・K,热阻 0.49℃・cm²/W
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光模块 / CPO、AI 服务器 GPU
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超高导热,低挥发,UL94-V0
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可固化导热凝胶
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TS500-80
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导热系数 7.0W/m・K,热阻 0.36℃・cm²/W(60μm)
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光模块微间隙、射频模块
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薄型低 BLT,低热阻
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预固化导热凝胶
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TS300-70
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导热系数 7.0W/m・K,热阻 0.51℃・cm²/W
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光模块结构件、终端模组
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无需固化,回温即用,高适配
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导热绝缘膜
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TF-200-50
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导热系数 5.0W/m・K,热阻 2.5℃・cm²/W
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6G 基站功放、射频模块
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高绝缘,耐高压,韧性好
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导热垫片
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TP100-X0
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导热系数 10.0W/m・K
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AI 服务器、6G 基站阵列
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高导热,低挥发,玻纤增强
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导热硅脂
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SC9660
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导热系数 6.2W/m・K,热阻 0.26℃・cm²/W
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太赫兹功放、射频芯片
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长期不粉化,低 BLT
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导电胶
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CA1108
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导热系数 160W/m・K
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芯片封装、射频接地
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超高导热导电,低温烧结
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双组份灌封胶
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TC200-40
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导热系数 4.0W/m・K
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AI 服务器电源、基站电源
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高导热,流动性好,减震绝缘
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