国产 SST 芯片实现技术突破 性能追平国际前列水平

长期以来，固态变压器（SST）关键芯片市场被国外企业垄断，国内 SST 设备厂商面临芯片采购成本高、供应周期长、技术受制于人的困境。国内半导体企业历经多年技术攻关，成功研发出高性能固态变压器（SST）特定芯片，采用先进的碳化硅（SiC）材料与封装工艺，芯片开关频率达 200kHz，比传统芯片提升 2 倍，能量损耗降低 35%，性能追平国际前列水平，打破了国外企业的技术垄断，这一核心技术突破将在 2026 年 6 月 3 日至 5 日上海新国际博览中心举办的数据中心固态变压器（SST）展览会上重磅发布。

这款国产 SST 特定芯片攻克了高频率、低损耗、高可靠性等一系列关键技术难题。在芯片设计方面，采用全自主研发的电路架构，集成度提升 40%，可有效缩小 SST 设备的体积，节省机房安装空间。同时，芯片内置完善的过流、过压、过热保护功能，能够在复杂的运行环境下自动识别并应对故障，大幅提升运行稳定性。经第三方闻名检测机构验证，该芯片在高温、高湿、强辐射等恶劣环境下仍能稳定工作，使用寿命超 10 年，完全满足数据中心供电设备长期连续运行的需求。此外，芯片还支持灵活的参数配置，可适配不同功率等级的 SST 设备，满足多样化的市场需求。

目前，该国产 SST 芯片已实现规模化量产，配套应用于国内多家头部 SST 设备厂商的产品中，使国产 SST 设备的关键器件自给率从 25% 提升至 40%，设备生产成本进一步降低 15%，大幅提升了国产 SST 产品的市场竞争力。国产 SST 芯片的突破，不仅降低了国内厂商的采购成本，还保障了供应链安全，推动我国 SST 产业向自主可控方向发展。本次展览会上，该国产 SST 芯片将进行实物展示，企业将发布芯片的详细技术参数、应用案例及量产计划。展会同期还将举办关键器件技术创新论坛，邀请行业专业人员与企业人员探讨 SST 芯片的发展趋势与技术瓶颈，为产业链上下游合作搭建平台。