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酷尔森:半导体行业干湿冰清洗技术应用

来源: 发布时间:2025-12-26

酷尔森的干冰清洗(Dry Ice Blasting)和湿冰清洗(Wet Ice Cleaning)技术在半导体行业中扮演着关键角色,尤其在应对高精密、无损伤、零污染的清洁需求时表现突出。以下是两类技术的主要原理、应用场景及行业价值的综合分析:


一、干冰清洗在半导体行业的应用

01、技术原理与主要优势


  • 物理机制:通过压缩空气(压力0.05–0.8 MPa)加速超细干冰颗粒(1–3 μm),利用低温(78.5℃)脆化污染物,结合动能冲击剥离表面杂质,终干冰升华成CO₂气体,无残留,适配半导体严苛要求。
  • 非研磨性:避免损伤晶圆表面(平整度Ra ≤0.1 nm)或光刻掩模版镀铬层(厚度只数十纳米)。
  • 完全干燥:无水分引入,防止氧化或水渍残留,满足光刻环节“干燥”需求。
  • 无化学污染:避免溶剂残留导致电路腐蚀或离子污染。
  • 在线操作:无需拆卸设备,减少停机时间(如光刻机腔体清洁只需10–30分钟)。



02、关键应用场景


  • 晶圆制造环节:光刻掩模版清洁:去除纳米级颗粒(≤0.1 μm)、有机残渣(如光刻胶),避免图形畸变。晶圆表面处理:裸片切割后去除硅粉与金属杂质(Fe、Cu);刻蚀后剥离氟碳聚合物残渣,避免薄膜结合不良。
  • 封装与测试环节:焊盘预处理:去除焊盘(Au/Cu/Al)表面氧化层与指纹油脂,提升键合强度。探针卡与测试插座:去除氧化物与助焊剂残留,确保电接触可靠性。
  • 设备与治具维护:晶圆载具(FOUP)清洁:消除微粒吸附与静电灰尘。沉积/刻蚀腔体保养:在线去除反应腔壁沉积物(如未反应的Al/Cu颗粒),恢复工艺稳定性。



03、与传统清洁方法的对比优势

下表概括了干冰清洗与传统方法的差异:

评估维度 干冰清洗 传统方法(湿法/等离子)
二次污染风险 无残留(只需吸走污染物) 化学废液或介质残留需处理
表面损伤风险 极低(非接触式) 中高(机械摩擦或刻蚀过度)
水分/溶剂引入 完全干燥 需后续烘干或防腐蚀处理
复杂结构清洁 深入缝隙(如BGA封装底部) 受限
环保性 零VOC排放,符合Class 1洁净标准 化学废液处理成本高


二、湿冰清洗在半导体行业的适配性!

01、技术特点与适用场景 

原理:

湿冰清洗以微冰粒(1–100 μm)混合微量水雾,结合低温脆化与微水溶解力,适用于耐受微量水分的场景。


半导体领域的特殊价值:


  • 精密部件温和清洁:如封装设备的塑模或金属夹具,可去除脱模剂残留而不损伤表面。
  • 电气设备维护:针对非极端敏感的控制柜、传感器接口,湿冰可安全去除油污粉尘,且微量水分可快速蒸发。



02、与干冰的协同应用


  • 集成系统案例:酷尔森CIB干冰/湿冰一体机支持模式切换,例如:
  • 干冰模式:用于光刻机光学元件等水分禁区;
  • 湿冰模式:处理封装车间的传送带或工具架,提升去污效率。



三、干冰与湿冰的综合对比与趋势!

1. 技术特性差异

特性 干冰清洗 湿冰清洗
介质残留 零(完全升华) 微量水雾(需短时干燥)
适用基材 所有水分敏感表面 耐水金属/封装治具
成本效率 干冰消耗量大,但省去废液处理 冰粒可循环,综合成本较低
精密适应性 原子级平整表面(晶圆) 机械部件或封装模具

2. 行业发展趋势


  • 智能化升级:结合AI视觉识别污垢类型,动态调节颗粒尺寸与压力(如0.1–0.3 MPa精细控制),提升良率。
  • 成本优化:固态CO₂回收技术降低60%储运成本,推动规模化应用。
  • 标准制定:国际半导体技术路线图(IRDS)已将干冰清洗纳入先进节点制造标准。



四、总结:酷尔森技术的价值!


  • 酷尔森的干冰与湿冰清洗技术,分别以 “干燥” 和 “微水高效” 特性,覆盖半导体制造全链条:
  • 干冰清洗是光刻、晶圆处理等高敏环节的不可替代方案,保障纳米级洁净与零损伤;
  • 湿冰清洗在封装设备、电气部件维护中兼顾效率与成本,尤其适合耐受微量水分的场景;



五、未来潜力

随着3nm以下制程对污染控制要求趋严,干冰清洗在微粒回收(如0.1 μm级)与AI参数优化上的突破,将进一步巩固其作为半导体良率“守护者”的地位。

半导体行业如“在显微镜下工作”,每一粒尘埃都可能摧毁百万晶体管。酷尔森的技术,正是为这样的世界提供“无痕清洁”的精密之手。

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