符号
特性参数
正向电压(Vf)
Vf ** Forward Voltage Drop,即正向电压降。这是二极管在正向偏置状态下,从阳极(Anode)到阴极(Cathode)所需的电压。当二极管正向偏置时,即阳极连接到正电源,阴极连接到负电源或地,电流会通过二极管。
二极管的正向电压降(Vf)通常是固定的,并且对于特定类型的二极管,其值通常在0.6到0.7伏特(V)之间。例如,硅二极管的正向电压降大约是0.7伏特,而锗二极管的正向电压降大约是0.3伏特。
反向恢复时间(Trr)
TRR ** Turn-off Reverse Recovery Time,即反向恢复时间。这是指二极管在从正向导通状态切换到反向截止状态时,从正向电流减少到零,再到反向电流出现的时间间隔。
正向恢复时间(tF):正向恢复时间是二极管开始导通所需的时间,称为正向恢复时间。换句话说,二极管从关闭状态切换到开启状态所花费的时间称为正向恢复时间 ( t F )。
在二极管的工作过程中,当电流从正向减小到零时,二极管内部的电荷载流子(电子和空穴)开始重新分布,以建立新的电场。这个过程中,二极管会经历一个短暂的恢复期,直到反向电压足够高,使得载流子能够重新注入,从而形成反向电流。
Trr 对于二极管在开关电路中的应用非常重要。如果二极管的反向恢复时间较长,它可能会在开关过程中产生较大的反向电流,这可能会对电路造成干扰,尤其是在高频开关应用中。因此,设计人员通常会选择具有较短 Trr 的二极管,以提高电路的性能和可靠性。
结电容(CT)
CT参数通常指的是二极管的总电容(Total Capacitance),也称为等效串联电容(Equivalent Series Capacitance, ESC)或结电容(Junction Capacitance)。这个参数是二极管在反向偏置状态下,由于其内部结构导致的电容效应。
总电容主要由两部分组成:
势垒电容(Barrier Capacitance):这是由于二极管内部PN结的势垒区导致的电容效应。当施加反向偏置电压时,PN结的势垒区会存储电荷,形成一个电容。
扩散电容(Diffusion Capacitance):这是由于二极管内部载流子(电子或空穴)在扩散过程中形成的电容效应。当施加反向偏置电压时,载流子会在PN结两侧扩散,形成一个电容。
总电容的值对于开关二极管来说非常重要,因为它会影响二极管的开关速度。总电容越大,开关速度越慢,因为二极管需要更长的时间来充放电电容。在高速开关应用中,设计人员通常会选择具有较小总电容的二极管,以提高电路的性能。
极限特性
VRM & VR
VR:这是二极管在反向偏置状态下可以承受的连续工作电压,也称为反向连续工作电压。这个参数**了二极管在反向偏置状态下能够长时间承受的电压值,而不会发生损坏。在实际应用中,电路中的反向电压应该始终低于VRM值
VRM:这是二极管在反向偏置状态下可以承受的瞬时峰值电压,也称为反向峰值电压。这个参数**了二极管在反向偏置状态下可以承受的短暂高电压值,通常在电路的瞬态或脉冲情况下出现。瞬时峰值电压可能会超过连续工作电压,但这种超过是短暂的,不会对二极管造成FOREVER损坏。
注意余量设计,手册中它是80V,在一些极限的环境下它的反向电压也电或流,都会有所变化,那我们为了这个设备的可靠性,都会给它有一个打折,大概80%,也就是64V。
IFM &IO
IFM:这是二极管在正向偏置状态下可以承受的MAX正向峰值电流。IFM是二极管的一个极限参数,表示在正向偏置状态下,二极管可以承受的最大电流值,超过这个值可能会导致二极管过热甚至损坏。在设计电路时,必须确保流过二极管的正向电流始终低于IFM值。
IO:这是二极管在正向偏置状态下可以承受的MAX正向连续电流。IO 是二极管的一个工作参数,表示在正向偏置状态下,二极管可以长时间承受的电流值,而不会发生损坏。在实际应用中,电路中的正向电流应该始终低于IO值。
IFSM
MAX浪涌电流 (Isurge):在设计需要承受瞬时高电流的电路时,要确保二极管的MAX浪涌电流大于电路中的浪涌电流,以避免二极管损坏。
在二极管手册中,对电路设计影响MAX的参数主要有以下几个:
额定电流(Forward Current):这是指二极管在正向导通时可以安全通过的最大电流。如果流过二极管的电流超过这个值,可能会导致二极管烧毁。
最大反向电压(Reverse Voltage):这是指二极管在反向工作时能承受的最大电压。超过这个电压,二极管可能会被击穿。
反向恢复时间(Reverse Recovery Time):这是指二极管从正向导通状态转到反向阻断状态所需的时间。这个时间对高频电路的影响比较大。
结电容(Junction Capacitance):这是指二极管内部的电容,它会影响电路的响应速度和稳定性。
开关速度(Switching Speed):这是指二极管在导通和截止之间切换的速度,对于高频电路来说,这是一个重要的参数。
在选择合适的二极管时,需要根据电路的实际情况,综合考虑这些参数,以确保电路的正常运行。