pco.edge 4.2 bi XU极紫外线和软X射线光子

产品应用：pco.edge 4.2 bi XU用于极紫外线和软 X 射线光子检测

On the possibility to utilize a pco.edge 4.2 bi XU scientific CMOS imager for extended ultra violet and soft X-ray photon detection.

关于使用 pco.edge 4.2 bi XU 科学 CMOS 相机进行极紫外线和软 X 射线光子检测的可能性

R.H. Menk, F. Arfelli, M.Cautero, G.Cautero, M. Di Fraia, M. Coreno, F. Galdenzi and W. Tutsch

摘要翻译

作为商用相机之一，基于背照式 sCMOS 传感器的 pco.edge 4.2 bi，为可见光/紫外线区域的应用而开发，现已适用于超高真空操作（并被命名为pco.edge 4.2 bi XU），已使用能量范围为 30 eV 至 1000 eV 的软 X射线进行表征。该成像器具有 2048 x 2048 像素，像元尺寸为 6.5 µm x 6.5 µm，允许在 48 Hz 下进行全帧采集，动态范围为 88 dB，噪声水平为 1.9 e^-。空间分辨率和量子效率已在上述能量范围内的 Elettra Sincrotrone Trieste 的软 X 射线束线中得到阐明。相机的便利性及其 Python 库包允许轻松快速地集成到同步加速器源和自由电子激光器的光束线环境中。

图文节选（1）

光子科学使用由同步加速器和 FEL 源产生的极紫外 (EUV) 和软 X 射线光子，迫切需要合适的光子成像探测器。与中硬 X 射线光子的探测范围类似，对此类 EUV 探测器的要求包括高（探测）量子效率、高帧速率、非常大的动态范围、单光子灵敏度和低误报率、小像元间距和（几）百万像素。许多软 X 射线探测器具有上述的一部分特性，但在大多数情况下并非具有以上所有特性，背照式科学 CMOS (sCMOS) 成像器由于其独特的功能，可定制以满足上述要求 。

这种以应用为导向的探测器开发是一种虽耗时却明智的方法，它可以充分利用自由电子激光器 (FEL) 和衍射限制同步加速器环 (SR) 提供的亮度提升。相对而言，少数基于 sCMOS 的商用探测器可以满足上述对软 X 射线探测器的要求，这些探测器已开发用于主要在可见光范围内的不同应用。特别是使用背面变薄工艺的 sCMOS 传感器非常适合利用水窗（282 eV 和 533 eV 之间）和过渡金属 L边的实验（目标光子能量范围探测），这也意味着在真空环境下操作。经过一些改造，特别是增加超高真空 (UHV) 兼容性，这些商业设备可用于 EUV 和软 X 射线应用...

图文节选（2）

2. 材料和方法

2.1 软 X 射线成像器 PCO edge系列基于 GSENSE2020BSI-APM-NUN PulSar 背薄单增益 sCMOS 传感器构建，该传感器由长光辰芯 设计并已由高塔半导体处理。该传感器包含 2048 x 2048 像素，像元大小为 6.5