湖北可控硅模块品牌

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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可控硅模块特点：

1 对耐压级别的选择：通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定：由于双向可控硅模块通常用在交流电路中，因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择：它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流：IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

5 对电压上升率的：dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 湖北可控硅模块品牌淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率极大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止，在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。

可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。

可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：

可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 淄博正高电气有限公司锐意进取，持续创新为各行各业提供专业化服务。

可控硅模块的应用领域

该智能模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气操控、电源等，依据还可经过模块的操控端口与多功用操控板联接，结束稳流、稳压、软启动等功用，并可结束过流、过压、过温、缺持平维护功用。

可控硅模块的操控办法

经过输入模块操控接口一个可调的电压或许电流信号，经过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行滑润调度，结束模块输出电压从0V至任一点或悉数导通的进程。

电压或电流信号可取自各种操控外表、核算机D/A输出，电位器直接从直流电源分压等各种办法；操控信号选用0～5V，0～10V，4～20mA三种对比常用的操控办法。

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可控硅模块的接线方法

可控硅模块在电力工业中占有重要地位。很多人知道可控硅模块的优点和使用方法，但不知道如何连接可控硅模块。我们来谈谈可控硅模块的连接方法。

单个晶闸管反向并联。记得增加RC保护电路。控制交流电，单向晶闸管一定要反向并联，因此2和3应短接使用。

可控硅的介绍：

这是一种由三个晶闸管引起的共正晶闸管模块，主要用于三相半波整流电路。

或者三相全控桥可以由一个普通的负三相半波整流器构成。

调速器：红色，蓝色，黑色，3根电线，红色电池正极，黑色电池负极，蓝色连接电机负极，电机正极带一根线到电池正极。 湖北可控硅模块品牌

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